2016年12月23日金曜日

昨夜から量産に向けたメモリテストを行っています。最終試作基盤でメモリエラーが頻発する事が判明し今週はその原因究明に追われていました。非常に根の深い問題で解析が難航したのですが、メモリに繋がっているクロックラインの抵抗値とコンデンサ容量がリファレンス回路と異なっており、その影響でクロックラインにノイズが乗っているのが原因であると結論付けました。



問題の抵抗とコンデンサを手作業で交換し動作検証を実施、さらにこの連休を使って自動テストプログラムを走らせ続けています。連休明けにメモリエラーが発生していなければ回路検証完了。いよいよ量産GOです。いい結果が出ますように!

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